lnu.sePublications
Change search
CiteExportLink to record
Permanent link

Direct link
Cite
Citation style
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Other style
More styles
Language
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Other locale
More languages
Output format
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
IGBT-modul i batteriladdare
Växjö University, Faculty of Mathematics/Science/Technology, School of Mathematics and Systems Engineering.
2009 (Swedish)Independent thesis Basic level (degree of Bachelor), 10 credits / 15 HE creditsStudent thesisAlternative title
IGBT module in a battery charger (English)
Abstract [sv]

Rapporten beskriver arbetet att undersöka val av transistor av typ MOSFET eller IGBT, i en batteriladdare på 8 kW. En analys av den 'Phase Shift ZVS' -topologi som används är redovisad. Stora minskningar av produktionskostnader förväntas ske genom att byta ut tolv diskreta kraft-transistorer mot en monolitisk kraftmodul. Transistorerna ska klara höga mellanledsspänningar över 800 V. Det är även önskvärt att minska förlusterna i krafttransistorerna, vilket skulle ger en bättre verkningsgrad för batteriladdaren. Analysen av topologin kan användas för att avgöra om aktuell topologi passar bra ihop med önskad krafttransistor-typ. Under arbetets gång har prototyper för att testa IGBT'er tagits fram. Verifiering och uppmätta jämförelser har gjort mot MOSFET som används idag.

Resultat

Det har visat sig att det finns vissa problem med att använda IGBT'er i aktuell topologi, då det är önskvärt att erhålla IGB-Transistorns frånslag vid noll ström. I den aktuella topologin erhålls istället frånslagen vid noll spänning. Det har också visat sig att val av IGBT-chip är kritiskt och därför kan bättre resultat förväntas vid val av annat IGBT-chip än det som har testats.

Abstract [en]

The following report describes the work to examine the transistor choice of the type MOSFET or IGBT, in a 8 kW battery charger. A analysis of the 'Phase Shift ZVS' - topology that is used is also presented. Reductions of production costs are to be expected by replacing twelve discreet transistors with one monolithic transistor module. The transistors must withstand high DC-link voltages above 800 V. It is also desirable to decrease the losses in the transistors, that would gives a better effectiveness for the battery charger. The analysis of the topology can be used to decide if the current topology fit good together with the desired transistor type. In this work prototypes has been developed to test IGBT. Verifications and meassurements compared to the MOSFET that are used today were made.

Results

It has shown that there is problems with using IGBT's in the current topology, because it is desirable to switch of the IGB-Transistor att zero current. Instead in the current topology the transistor i switched of at zero voltage. It has also appear that the choice of IGBT-chip is critical, so for that reason better results can be expected if another IGBT-chip than the one tested would be selected.

Place, publisher, year, edition, pages
2009. , p. 58
Keywords [en]
IGBT, modul, ZVT, ZVS, Phase shift, batteriladdare, battery charger, Micropower
National Category
Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
Identifiers
URN: urn:nbn:se:vxu:diva-2513OAI: oai:DiVA.org:vxu-2513DiVA, id: diva2:206460
Uppsok
teknik
Supervisors
Examiners
Available from: 2009-02-02 Created: 2009-02-02 Last updated: 2010-03-10Bibliographically approved

Open Access in DiVA

No full text in DiVA

By organisation
School of Mathematics and Systems Engineering
Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Search outside of DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric score

urn-nbn
Total: 212 hits
CiteExportLink to record
Permanent link

Direct link
Cite
Citation style
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Other style
More styles
Language
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Other locale
More languages
Output format
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf